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... logistica, R&D) si tratta di linee distinte; una linea NAND non può essere riconvertita a DRAM (e ... Samsung per i suoi SSD usa TLC V - NAND, nome scelto per la NAND 3D contraddistinta da celle ...
Digital Day
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22-12-2025
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The company's innovative 3D flash memory technology, BiCS FLASH, is shaping the future of storage ... Notes: KIOXIA AiSAQ Technology Designed to Reduce DRAM Requirements in Generative AI Systems ...
01Net
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17-12-2025
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... today announced the development of highly stackable oxide - semiconductor channel transistors that will enable the practical implementation of high - density, low - power 3D DRAM. This technology ...
01Net
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12-12-2025
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... oggi ha annunciato lo sviluppo di transistor a canale a semiconduttore di ossido altamente impilabili che consentiranno l'implementazione pratica di memoria DRAM 3D ad alta densit e basso consumo ...
01Net
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12-12-2025
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Queste - grazie al fatto di essere Dram "impilate" in verticale e collegate tra loro con canali ... Rispetto al fronte in oggetto, l'azienda olandese gioca le sue fiches sul packaging avanzato/3D ...
Il Sole 24 Ore
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3-12-2025
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The company's innovative 3D flash memory technology, BiCS FLASH, is shaping the future of storage ... Notes: 1: KIOXIA AiSAQ Technology Designed to Reduce DRAM Requirements in Generative AI Systems ...
01Net
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2-12-2025
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